Эта публикация цитируется в 3 статьях

Полупроводники

Эффект Пула–Френкеля в халькогенидных полупроводниках с различными кристаллическими структурами

А. М. Пашаев^ab, Б. Г. Тагиев^ab, О. Б. Тагиев<sup>bc

a</sup> Национальная академия авиации, Баку, Азербайджан
^b Институт физики НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
^c Филиал Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Баку, Азербайджан

Аннотация: Представлены результаты исследований электропроводности большой группы халькогенидных полупроводников, имеющих слоистую, кубическую и орторомбическую структуру, в сильных электрических полях до 10$^5$ V/cm. Выявленный рост электропроводности $\sigma$ в сильных электрических полях объясняется термоэлектронной ионизацией Френкеля. Это позволило наряду с другими параметрами (например, энергией активации и концентрацией ловушек, длиной свободного пробега носителей тока, диэлектрическую проницаемость), а также оценить концентрацию и подвижность носителей тока исследуемых полупроводников. Показано, что в сильных электрических полях в полупроводниках, когда имеет место термоэлектронная ионизация ловушек, их диэлектрическая проницаемость $\varepsilon$, обусловленная электронной поляризацией, определяется простым способом, т. е. $\varepsilon=n^2$ (где $n$ – коэффициент преломления света).

Поступила в редакцию: 01.10.2012

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2013, 55:5, 937–942

Реферативные базы данных:

•