Эта публикация цитируется в 3 статьях

Магнетизм

Электронный транспорт в манганитных бикристаллических контактах

А. М. Петржик^a, Г. А. Овсянников^ab, В. В. Демидов^a, А. В. Шадрин^ab, И. В. Борисенко<sup>a

a</sup> Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, Москва, Россия
^b Чалмерский технологический университет, Гётеборг, Швеция

Аннотация: Исследованы транспортные и магнитные свойства контактов, созданных в тонких пленках La$_{0.67}$Sr$_{0.33}$MnO$_3$, эпитаксиально выращенных на подложках c бикристаллической границей. Использовались наклонные бикристаллические подложки из галлата неодима, в которых плоскости (110)NdGaO$_3$ наклонены на углы 12 и 38$^\circ$. Измерены и проанализированы температурные зависимости сопротивления, магнитосопротивления и дифференциальной проводимости контактов при различном напряжении. Обнаружено, что магнитосопротивление и сопротивление контакта существенно увеличиваются с ростом угла разориентации, хотя разориентация легких осей намагниченностей существенно не меняется. Отношение спин-зависимого и спин-независимого вкладов в проводимость бикристаллического контакта увеличивается почти на порядок при изменении угла от 12 до 38$^\circ$. Магнитосопротивление контакта увеличивается с понижением температуры, что, скорее всего, связано с ростом магнитной поляризации электронов. Показано, что при низких (гелиевых) температурах проводимость зависит от напряжения $V$ по закону $V^{1/2}$, что свидетельствует о преобладании вклада электрон-электронного взаимодействия в сопротивление контакта. При увеличении температуры величина этого вклада уменьшается, возрастает вклад, пропорциональный $V^{3/2}$, характерный для механизма, предполагающего неупругое рассеяние спинов на антиферромагнитных поверхностных магнонах.

Поступила в редакцию: 03.09.2012

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2013, 55:4, 759–764

Реферативные базы данных:

•