Полупроводники

Исследование особенностей роста нитевидных нанокристаллов GaAs в мезаструктурах

И. П. Сошников^abc, В. А. Петров^a, Г. Э. Цырлин^abc, Ю. Б. Самсоненко^abc, А. Д. Буравлев^ab, Ю. М. Задиранов^b, Н. Д. Ильинская^b, С. И. Трошков<sup>b

a</sup> Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет), Санкт-Петербург, Россия
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^c Институт аналитического приборостроения РАН, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Показана возможность эпитаксиального формирования массивов нитевидных нанокристаллов на наклонных гранях линейных мезаструктур. Исследованы структурные свойства нитевидных нанокристаллов GaAs, выращенных на гранях $(33\bar 1)$, $(11\bar 7)$ и (113) образцов с кристаллографической ориентацией подложки (100). Установлена связь между структурными параметрами нитевидных нанокристаллов и геометрической ориентацией ростовой поверхности относительно направлений $\langle$111$\rangle$ и плоскости подложки.

Поступила в редакцию: 27.09.2012

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2013, 55:4, 702–706

Реферативные базы данных:

•