Эта публикация цитируется в 2 статьях

Полупроводники

“Аномальный” спектральный фоторезистивный эффект поля в кристаллах CdS, обусловленный экранированием электрон-дырочного взаимодействия

А. С. Батырев^a, Р. А. Бисенгалиев^a, Б. В. Новиков<sup>b

a</sup> Калмыцкий государственный университет, Элиста, Россия
^b Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Исследованы изменения спектров низкотемпературной ($T$ = 77 K) краевой фотопроводимости кристаллов CdS, вызванные действием на поверхность образца внешнего поперечного электрического поля. В ряде кристаллов обнаружен “аномальный” характер этих изменений, анализ которого позволил установить существенную роль приповерхностных эффектов экранирования электрон-дырочного взаимодействия в формировании спектров краевой фотопроводимости кристаллов CdS с технологическим избытком кадмия вблизи поверхности. Показано, что обедняющее (обогащающее) поперечное поле приводит к ослаблению (усилению) эффектов экранирования в спектрах фотопроводимости CdS.

Поступила в редакцию: 30.07.2012

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2013, 55:4, 696–701

Реферативные базы данных:

•