Эта публикация цитируется в 3 статьях

Физика поверхности, тонкие пленки

Туннельные характеристики двухбарьерного магнитного наноконтакта

Н. Х. Усеинов

Казанский (Приволжский) федеральный университет, Казань, Россия

Аннотация: На основе квазиклассической модели рассчитывается спин-поляризованный ток через планарный двухбарьерный магнитный туннельный наноконтакт. В рамках квантовой теории рассчитываются коэффициенты прохождения электронов через барьеры. Показаны зависимости коэффициентов прохождения, спин-поляризованных токов и туннельного магнитосопротивления от приложенного напряжения в условиях резонанса. В нерезонансных условиях туннельное магнитосопротивление сравнивается с экспериментальными данными.

Поступила в редакцию: 07.08.2012

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2013, 55:3, 659–667

Реферативные базы данных:

•