Эта публикация цитируется в 2 статьях

Сегнетоэлектричество

Экспериментальное исследование величины встроенного поля в межзеренных каналах тонких сегнетоэлектрических пленок Pb(Zr,Ti)O$_3$

Л. А. Делимова, В. С. Юферев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Измеренная в тонкопленочных M/Pb(Zr,Ti)O$_3$(PZT)/M-конденсаторах зависимость фотоэдс от остаточной поляризации хорошо согласуется с развитой нами моделью межзеренного фотовольтаического эффекта для пленок со столбчатой структурой зерен PZT и гетерофазными межзеренными границами. В этом случае фотоэдс задается деполяризующим полем, которое генерируется нескомпенсированным поляризационным зарядом на границах PZT-зерен. Показано, что величину и направление встроенного поля в межзеренном канале таких PZT-пленок можно определить с помощью измерений фотоэдс при нулевой поляризации с чувствительностью порядка милливольт.

Поступила в редакцию: 27.07.2012

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2013, 55:3, 536–539

Реферативные базы данных:

•