RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика твердого тела // Архив

Физика твердого тела, 2013, том 55, выпуск 3, страницы 460–470 (Mi ftt12345)

Эта публикация цитируется в 9 статьях

Магнетизм

Влияние термомагнитной и термомеханической обработки на магнитные свойства и структуру магнитомягкого нанокристаллического сплава Fe$_{81}$Si$_6$Nb$_3$B$_9$Cu$_1$

Н. В. Ершовa, В. А. Лукшинаa, В. И. Федоровb, Н. В. Дмитриеваa, Ю. П. Черненковb, А. П. Потаповa

a Институт физики металлов УрО РАН, Екатеринбург, Россия
b Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова, Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт"

Аннотация: Структурное и магнитное состояния ленточных образцов магнитомягкого сплава Fe–Si–Nb–B–Cu (6 at.% кремния) исследовались после нанокристаллизации при температуре 550$^\circ$C в постоянном магнитном поле (ТМО), в поле механических растягивающих напряжений (ТМехО) и без внешних воздействий. Показано, что под действием магнитного поля и поля механических напряжений формируется продольная анизотропия магнитных свойств. Петля магнитного гистерезиса становится близкой к прямоугольной, что сопровождается значительным ростом остаточной индукции, которая приближается к индукции насыщения. Если для завершения процессов нанокристаллизации достаточно 20 min, при ТМехО магнитная анизотропия наводится за 20 min, то при ТМО для существенного снижения коэрцитивной силы требуется более продолжительная выдержка (до 60 min). После ТМО деформации решетки $\alpha$-FeSi-нанокристаллов не обнаружены. Либо они отсутствуют, либо их величина не выходит за пределы погрешности рентгендифракционного эксперимента. В образцах, подвергнутых отжигу под растягивающей нагрузкой, выявлены анизотропные деформации решетки нанокристаллов, величина которых увеличивается пропорционально величине напряжения. Наибольшие относительные деформации, достигающие 1%, наблюдаются после отжига под действием напряжения в 860 MPa.

Поступила в редакцию: 08.08.2012


 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2013, 55:3, 508–519

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026