Эта публикация цитируется в 11 статьях

Системы низкой размерности

Формирование и магнитные свойства интерфейса кремний–кобальт

М. В. Гомоюнова^a, Г. С. Гребенюк^a, И. И. Пронин^a, С. М. Соловьев^a, О. Ю. Вилков^b, Д. В. Вялых<sup>b

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^b Institut für Festkorperphysik, Technische Universität Dresden, Dresden, Germany

Аннотация: Методом фотоэлектронной спектроскопии высокого энергетического разрешения с использованием синхротронного излучения исследовано формирование интерфейса Si/Co и его магнитные свойства. Эксперименты проведены in situ в условиях сверхвысокого вакуума (5 $\cdot$ 10$^{-10}$ Torr) в диапазоне толщин покрытия до 2 nm. Обнаружено, что на начальной стадии нанесения кремния на поверхность поликристаллического кобальта, находящуюся при комнатной температуре, образуются сверхтонкие слои силицидов Co$_3$Si, Co$_2$Si, CoSi и CoSi$_2$. Три последние фазы являются немагнитными, и их формирование приводит к быстрому затуханию эффекта магнитного линейного дихроизма в фотоэмиссии Co 3$p$-электронов. При дозах напыления, превышающих $\sim$0.4 nm Si, на поверхности образца растет пленка аморфного кремния. Установлено, что межфазовая граница Si/Co стабильна в интервале температур до $\sim$250$^\circ$С, а дальнейший нагрев образца стимулирует уход аморфного кремния с поверхности образца и процессы силицидообразования.

Поступила в редакцию: 05.07.2012

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2013, 55:2, 437–442

Реферативные базы данных:

•