Аннотация:
Исследовано влияние электрического потенциала на микротвердость кристаллографической плоскости (0001) монокристалла цинка. Установлено, что микротвердость уменьшается по мере роста подаваемого потенциала и при значении 0.05 V выходит на насыщение. Общая величина эффекта уменьшения микротвердости составляет 8%. Показано, что изменение микротвердости статистически значимо. Предложено объяснение наблюдаемого эффекта, состоящее в снижении плотности поверхностной энергии за счет ее электризации. Приведены оценки величины снижения поверхностной энергии с учетом существующего адсорбированного монослоя воды.