Эта публикация цитируется в 5 статьях

Полупроводники

Применение диффузионной модели образования ростовых микродефектов для описания дефектообразования в термообработанных монокристаллах кремния

В. И. Таланин, И. Е. Таланин

Институт экономики и информационных технологий, Запорожье, Украина

Аннотация: Рассмотрено применение диффузионной модели образования ростовых микродефектов для описания дефектообразования в монокристаллах кремния, прошедших термическую обработку. Показано, что предложенная кинетическая модель дефектообразования дает возможность рассмотреть образование и развитие дефектной структуры во время роста кристалла и его термических обработок с единых позиций. Математический аппарат диффузионной модели может быть положен в основу программного комплекса для анализа и расчета образования ростовых и постростовых микродефектов в бездислокационных монокристаллах кремния. Показано, что диффузионная модель образования ростовых и постростовых микродефектов позволяет определить необходимые условия роста кристалла и режимы его обработок для получения точно определенной дефектной структуры.

Поступила в редакцию: 26.06.2012

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2013, 55:2, 282–287

Реферативные базы данных:

•