Д. Д. Крамущенко, И. В. Ильин, В. А. Солтамов, П. Г. Баранов, В. П. Калинушкин, М. И. Студеникин, В. П. Данилов, Н. Н. Ильичев, П. В. Шапкин, “ЭПР-диагностика лазерных материалов на основе кристаллов ZnSe, активированных переходными элементами”, Физика твердого тела, 2013, том 55, выпуск 2,страницы 234

Эта публикация цитируется в 10 статьях

Полупроводники

ЭПР-диагностика лазерных материалов на основе кристаллов ZnSe, активированных переходными элементами

Д. Д. Крамущенко^a, И. В. Ильин^a, В. А. Солтамов^a, П. Г. Баранов^a, В. П. Калинушкин^b, М. И. Студеникин^b, В. П. Данилов^b, Н. Н. Ильичев^b, П. В. Шапкин^c

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^b Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
^c Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия

Аннотация: Проведен анализ и идентификация спектров электронного парамагнитного резонанса (ЭПР), наблюдавшихся в лазерных материалах на основе кристаллов селенида цинка ZnSe, активированных переходными элементами. Показано, что в результате диффузии переходных элементов хрома, кобальта или железа, используемых при создании активных материалов для квантовой электроники (лазеров, затворов), работающих в среднем инфракрасном диапазоне, наряду с рабочей примесью (Cr$^{2+}$, Co$^{2+}$, Fe$^{2+}$) в диффузионном слое обнаружены спектры ЭПР сопутствующих примесей. ЭПР-диагностика этих примесей может использоваться при разработке режимов, позволяющих минимизировать концентрации сопутствующих примесей, ухудшающих рабочие характеристики лазерных материалов. Обнаружено встраивание в решетку в процессе диффузии переходных металлов ионов сопутствующей примеси Mn$^{2+}$, характеризующейся чрезвычайно информативными спектрами ЭПР, которые предлагается использовать в качестве идеальных меток для контроля на электронном уровне кристаллической структуры диффузионного активного слоя.

Поступила в редакцию: 13.06.2012