Эта публикация цитируется в 3 статьях

Графены

Релаксация монослоя эпитаксиального графена, вызванная электрон-фононным взаимодействием с подложкой

С. Ю. Давыдов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: В рамках простых моделей эпитаксиального графена и электрон-фононного взаимодействия рассмотрены нормальные (по отношению к подложке) колебания однослойного графена как целого. Рассмотрение проводилось как для металлического, так и для полупроводникового субстрата. Приведенные оценки показывают, что возможность появления двух конкурирующих электронных состояний адатомов графена реализуется только для больших значений константы электрон-фононного взаимодействия. Показано также, что графеновый лист может релаксировать как “внутрь”, так и “наружу”.

Поступила в редакцию: 04.06.2012

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2013, 55:1, 229–234

Реферативные базы данных:

•