Эта публикация цитируется в 1 статье

Физика поверхности, тонкие пленки

Молекулярно-динамическое моделирование гетероэпитаксиального роста пленок твердого раствора Cu–Pd на (001) Pd

А. С. Прижимов^a, В. М. Иевлев^a, А. В. Евтеев<sup>b

a</sup> Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
^b The University of Newcastle, Callaghan, Australia

Аннотация: Методом молекулярно-динамического моделирования изучены закономерности гетероэпитаксиального роста пленок твердого раствора Cu–Pd на поверхности (001) кристалла Pd при температурах 600 и 1000 K. Процесс конденсации из двухкомпонентного потока моделировался последовательным нанесением атомов Cu и Pd с концентрацией 60 at.% Cu, 40 at.% Pd порциями в 0.1 ML, что соответствует эффективной скорости напыления $\sim$3.3 $\cdot$ 10$^9$ ML/s. Установлено, что имеет место когерентное сопряжение кристаллических решеток пленки и подложки. В процессе роста происходит формирование промежуточной монослойной твердорастворной фазы: при температуре 600 K фаза образуется в первом слое пленки, при 1000 K – в верхнем слое подложки.

Поступила в редакцию: 05.06.2012

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2013, 55:1, 213–219

Реферативные базы данных:

•