Эта публикация цитируется в 21 статьях

Полупроводники

Времена релаксации и длины свободного пробега фононов в режиме граничного рассеяния для монокристаллов кремния

И. И. Кулеев^a, И. Г. Кулеев^a, С. М. Бахарев^a, А. В. Инюшкин<sup>b

a</sup> Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, Екатеринбург, Россия
^b Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия

Аннотация: Исследована фокусировка фононов в кубических диэлектрических кристаллах, а также ее влияние на теплоперенос в режиме граничного рассеяния фононов при низких температурах. В модели анизотропного континуума рассчитаны длины пробега фононов различных поляризаций в образцах бесконечной и конечной длины с круглым и квадратным сечениями. Для образцов бесконечной длины с круглым и квадратным сечениями в случае равенства площадей поперечных сечений угловые зависимости длин свободного пробега, нормированных на длину Казимира, почти совпадают. Показано, что анизотропия длин пробега заметно уменьшается при переходе от бесконечных образцов к образцам конечной длины. Для кристаллов кремния проанализирована анизотропия средних длин свободного пробега фононов для каждой из ветвей фононного спектра. Установлено, что длины свободного пробега для фононов каждой колебательной моды достигают максимальных значений в направлениях фокусировки, причем в этих направлениях они превосходят длины пробега для фононов остальных колебательных мод.

Поступила в редакцию: 29.02.2012
Принята в печать: 15.06.2012

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2013, 55:1, 31–44

Реферативные базы данных:

•