Совещание по теории твердого тела, Санкт-Петербург, 14-16 мая 2025 г.

Теория флеш-памяти на основе двумерного вигнеровского кластера

Мехрдад М. Махмудиан^ab, М. М. Махмудиан^ab, М. В. Энтин<sup>a

a</sup> Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
^b Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия

Аннотация: Современная флеш-память работает за счет удержания (захвата) электронов на ловушках в диэлектрике, что приводит к изменению сопротивления двумерного канала полупроводника. В данной работе численно изучается структурное упорядочение – вигнеровская кристаллизация локализованных электронов на глубоких ловушках. Угловая функция распределения этих электронов подтверждает их вигнеровскую локализацию.

Ключевые слова: вигнеровский кластер, флеш-память, локализованные электроны, угловая функция распределения.

Поступила в редакцию: 30.06.2025
Исправленный вариант: 13.08.2025
Принята в печать: 15.08.2025

DOI: 10.61011/FTT.2025.09.61635.3-25

Реферативные базы данных:

•