Магнетизм

Бистабильное состояние в магнитных наноструктурах

Д. Л. Винокуров^a, А. И. Морозов<sup>ab

a</sup> Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики, Москва, Россия
^b Московский физико-технический институт (государственный университет), г. Долгопрудный, Московская обл.

Аннотация: Исследованы условия существования бистабильного состояния в слое ферромагнетика, который входит в состав магниторезистивной памяти, переключаемой электрическим полем. Такие состояния, отвечающие локальным минимумам потенциала Гиббса, соответствуют взаимно перпендикулярным направлениям намагниченности. Для ряда перспективных материалов получены оценки минимального объема ферромагнитного слоя, при котором барьер между состояниями превосходит суперпарамагнитный предел, и рассмотрены возможности его уменьшения.

Поступила в редакцию: 30.06.2014

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2014, 56:12, 2440–2445

Реферативные базы данных:

•