Полупроводники

Рентгенодифракционное определение степени упорядочения твердого раствора в эпитаксиальных слоях AlGaN

Р. Н. Кютт^ab, С. В. Иванов<sup>a

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский государственный университет

Аннотация: По схеме Реннингера измерена трехволновая дифракция в эпитаксиальных слоях твердого раствора Al$_x$Ga$_{1-x}$N. Из сравнения с аналогичными диаграммами, измеренными ранее для слоев GaN и AlN, следует, что кривые для твердого раствора показывают заметно большую интенсивность в области азимутальных углов вне трехволновых пиков. Это указывает на существование двухволнового брэгговского отражения 0001, запрещенного для вюрцитных структур. Показано, что его появление связано с частичным упорядочением твердого раствора в слоях Al$_x$Ga$_{1-x}$N. Из полученных экспериментально значений структурного фактора F(0001) для слоев с разной концентрацией Al следует, что степень упорядочения (избыток Al в одной из катионных плоскостей AlGa и недостаток в другой) для данной серии образцов практически не зависит от состава слоя твердого раствора.

Поступила в редакцию: 21.05.2014

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2014, 56:12, 2390–2392

Реферативные базы данных:

•