Эта публикация цитируется в 37 статьях

Сверхпроводимость

Расширенная модель критического состояния: асимметричные петли намагниченности и полевые зависимости критического тока сверхпроводников

Д. М. Гохфельд

Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН, г. Красноярск

Аннотация: Представлена расширенная модель критического состояния, рассматривающая равновесную намагниченность поверхностного слоя и намагниченность центральной области сверхпроводящего образца. Вычислены распределения магнитного потока, реализующиеся в образце. Предложена аналитическая зависимость плотности критического тока от магнитного поля с разным поведением на масштабах малых и больших полей. Установлена связь асимметрии петель намагниченности и плотности критического тока с размером образца. Модель применима для параметризации петель намагниченности как монокристаллических, так и поликристаллических сверхпроводников.

Поступила в редакцию: 26.06.2014

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2014, 56:12, 2380–2386

Реферативные базы данных:

•