Сегнетоэлектричество

Влияние электрического поля на размытый фазовый переход в кристаллах PbIn$_{1/2}$Nb$_{1/2}$O$_3$–28PbTiO$_3$ и PbIn$_{1/2}$Nb$_{1/2}$O$_3$–37PbTiO$_3$

Л. С. Камзина, С. Н. Попов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследовано влияние постоянного электрического поля (0 $<E\le$ 3 kV/cm) на размытие фазового перехода и экспоненту Кюри–Вейсса $(\gamma)$ в двух кристаллах PbIn$_{1/2}$Nb$_{1/2}$O$_3$–28PbTiO$_3$ и PbIn$_{1/2}$Nb$_{1/2}$O$_3$–37PbTiO$_3$, лежащих на разном расстоянии от морфотропной фазовой границы. Универсальный закон Кюри–Вейсса использовался для аппроксимации температурных зависимостей диэлектрической проницаемости. Показано, что чем дальше кристалл находится от морфотропной фазовой границы, тем больше величина gamma и, следовательно, больше размыт фазовый переход (в нулевом поле $\gamma$ = 1.67 и 1.49 для PbIn$_{1/2}$Nb$_{1/2}$O$_3$–28PbTiO$_3$ и PbIn$_{1/2}$Nb$_{1/2}$O$_3$–37PbTiO$_3$ соответственно). Обнаружено, что небольшое электрическое поле до 2–3 kV/cm в случае более размытого фазового перехода практически не влияет на величину $\gamma$, в то время как в кристалле PbIn$_{1/2}$Nb$_{1/2}$O$_3$–37PbTiO$_3$ $\gamma$ уменьшается с увеличением напряженности электрического поля, приближаясь к величине $\gamma$ = 1, характерной для нормального сегнетоэлектрика.

Поступила в редакцию: 14.04.2014
Принята в печать: 02.06.2014

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2014, 56:11, 2213–2216

Реферативные базы данных:

•