Эта публикация цитируется в 3 статьях

Диэлектрики

Два режима создания трехмерных субмикронных структур методом лазерной литографии

И. И. Шишкин^ab, К. Б. Самусев^ab, М. В. Рыбин^ab, М. Ф. Лимонов^ab, Р. В. Киян^c, Б. Н. Чичков^c, Ю. С. Кившарь^ad, П. А. Белов<sup>a

a</sup> Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^c Laser Zentrum Hannover, Hannover, Germany
^d Nonlinear Physics Center, Australian National University, Canberra, Australia

Аннотация: Проведено исследование режимов создания трехмерных структур субмикронных размеров методом лазерной литографии, который основан на эффекте порогового процесса двухфотонной полимеризации фоточувствительного материала в фокусе лазерного луча. Для определения рабочей области литографа в координатах “мощность лазера-скорость перемещения образца относительно фокуса лазера” была изготовлена серия фотонных кристаллов с симметрией “поленницы” (woodpile structure). Детально анализируются два метода создания трехмерных структур – метод “растрового сканирования” и метод “векторной графики”. На примере кристаллов инвертированного яблоновита продемонстрированы преимущества метода “векторной графики” для создания периодических структур. Полученные образцы изучались методом сканирующей электронной микроскопии.

Поступила в редакцию: 05.05.2014

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2014, 56:11, 2166–2172

Реферативные базы данных:

•