Эта публикация цитируется в 3 статьях

Физика поверхности, тонкие пленки

Эпитаксиальное выращивание слоев MnGa/GaAs для диодов со спиновой инжекцией

М. В. Дорохин^a, Д. А. Павлов^b, А. И. Бобров^b, Ю. А. Данилов^a, П. Б. Дёмина^a, Б. Н. Звонков^a, А. В. Здоровейщев^a, А. В. Кудрин^b, Н. В. Малехонова^b, Е. И. Малышева<sup>a

a</sup> Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
^b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Продемонстрирована возможность эпитаксиального выращивания слоев ферромагнитного галлида марганца Mn$_3$Ga$_5$ на поверхности (100) GaAs. Ферромагнитные свойства эпитаксиального Mn$_3$Ga$_5$ при комнатной температуре оценивались исходя из измерений аномального эффекта Холла. Сформирована диодная структура на основе контакта Mn$_3$Ga$_5$/GaAs, проведено измерение низкотемпературной электролюминесценции такого диода. Возможность получения электролюминесценции и высокое кристаллическое совершенство исследованных структур свидетельствуют о перспективах их применения в светоизлучающих диодах со спиновой инжекцией.

Поступила в редакцию: 21.04.2014

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2014, 56:10, 2131–2134

Реферативные базы данных:

•