Эта публикация цитируется в 2 статьях

Системы низкой размерности

Морфология, химический состав и электрические характеристики гибридных структур, выращенных на основе нанокомпозита (Ni–C) на ван-дер-ваальсовой поверхности (0001) GaSe

А. П. Бахтинов^a, В. Н. Водопьянов^a, З. Д. Ковалюк^a, З. Р. Кудринский^a, В. В. Нетяга^a, В. В. Вишняк^b, В. Л. Карбовский^b, О. С. Литвин<sup>c

a</sup> Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАН Украины (Черновицкое отделение), Черновцы, Украина
^b Институт металлофизики им. Г. В. Курдюмова НАН Украины, Киев, Украина
^c Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, Киев, Украина

Аннотация: Методами атомно-силовой микроскопии и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии исследованы морфология и химический состав металлических (Ni), углеродных и нанокомпозитных (Ni–C) наноструктур, выращенных в вакууме на окисленных и неокисленных поверхностях (0001) слоистого кристалла GaSe методом испарения материала электронным пучком из жидкого ионного источника в электрическом поле. Установлено, что в зависимости от режимов выращивания и состояния поверхности подложки при помощи этой технологии могут быть выращены наноструктуры с различной морфологией. На неокисленной ван-дер-ваальсовой поверхности (0001) GaSе выращены плотные однородные массивы капсулированных в углеродные оболочки наночастиц никеля (Ni@C) (с геометрическими размерами $\sim$1–15 nm и латеральной плотностью $>$ 10$^{10}$ сm$^{-2}$) и углеродные слои (с толщиной порядка нескольких нанометров), а на окисленной поверхности – нанокомпозитные (Ni-C) наноструктуры. Исследованы процессы формирования оксидных наноструктур на ван-дер-ваальсовой поверхности и их химический состав. На поверхности (0001) GaSe выращены вертикальные гибридные структуры Au/Ni/(Ni-C)/$n$-Ga$_2$O$_3$(Ni@C)/$p$-GaSe, которые содержат встроенные в широкозонный оксид $n$-Ga$_2$O$_3$ наночастицы Ni@C. На вольт-амперных характеристиках этих структур при температурах, близких к $T$ = 300 К, наблюдались особенности, характерные для эффекта кулоновской блокады проводимости.

Поступила в редакцию: 02.08.2013
Принята в печать: 30.04.2014

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2014, 56:10, 2118–2130

Реферативные базы данных:

•