Аннотация:
Показано, что в облученных большими флюенсами нейтронов (10$^{15}$–10$^{18}$ n/cm$^2$) кристаллах LiF пострадиационный отжиг при сравнительно низких температурах (300–400$^\circ$C) создает оптимальные условия для односистемного скольжения дислокаций, что способствует полному восстановлению пластичности при сохранении значительной доли радиационного упрочнения.