Эта публикация цитируется в 12 статьях

Полупроводники

Резонанс Фрёлиха в системе AsSb/AlGaAs

В. И. Ушанов^ab, В. В. Чалдышев^ab, Н. Д. Ильинская^a, Н. М. Лебедева^a, М. А. Яговкина^a, В. В. Преображенский^c, М. А. Путято^c, Б. Р. Семягин<sup>c

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
^c Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия

Аннотация: Исследуется оптическое поглощение в металлополупроводниковом метаматериале на основе матрицы AlGaAs. Ключевой особенностью такого материала является наличие хаотических массивов металлических нановключений AsSb, модифицирующих его диэлектрические свойства. Показано, что наличие таких массивов приводит к резонансному поглощению света поверхностными плазмонами в AsSb-нановключениях в диапазоне энергий падающих фотонов 1.37–1.77 eV. В экспериментальном спектре коэффициента экстинкции при энергии 1.48 eV наблюдается резонансный пик, полуширина которого равняется 0.18 eV. По теории Ми выполнен расчет коэффициента экстинкции для нановключений AsSb в матрице AlGaAs. Его спектр также содержит резонансный пик, энергия и полуширина которого равняются 1.48 и 0.18 eV соответственно. Расчетная величина плазменной энергии для свободных нановключений в вакууме составила 7.38 eV.

Поступила в редакцию: 16.04.2014

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2014, 56:10, 1952–1956

Реферативные базы данных:

•