Эта публикация цитируется в 2 статьях

Полупроводники

Нестационарная фотоэдс в кристаллах SiC, облученных реакторными нейтронами

М. А. Брюшинин, В. В. Куликов, Е. В. Мокрушина, Е. Н. Мохов, А. А. Петров, И. А. Соколов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Экспериментально исследован эффект нестационарной фотоэдс в кристаллах 6H-SiC, подвергнутых облучению реакторными нейтронами. Изучены зависимости амплитуды сигнала от частоты фазовой модуляции, пространственной частоты, интенсивности света и амплитуды внешнего переменного поля. Для объяснения необычной частотной зависимости сигнала использована двухуровневая модель полупроводника, учитывающая присутствие мелких ловушек. Фотоэлектрические параметры кристаллов определены для длины волны света $\lambda$ = 532 nm.

Поступила в редакцию: 07.04.2014

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2014, 56:10, 1939–1946

Реферативные базы данных:

•