Аннотация:
Экспериментально исследуется эффект нестационарной фотоэдс в массиве полупроводниковых нанопроволок, а именно в композите, представляющем собой селен в матрице хризотилового асбеста. Образец освещается колеблющейся интерференционной картиной, а отклик материала регистрируется в виде переменного электрического тока. Эксперименты проводятся для двух геометрий, в которых возбуждаемый фототок параллелен или перпендикулярен нанопроволокам. Представлены зависимости амплитуды сигнала от частоты фазовой модуляции, пространственной частоты, поляризации света и температуры. Фотоэлектрические параметры материала определены для длины волны света $\lambda$ = 633 nm. Выполнен теоретический анализ эффекта для модели полупроводника с мелкими ловушками, позволивший объяснить наблюдаемый рост амплитуды сигнала в присутствии дополнительной фазовой модуляции.