Эта публикация цитируется в 13 статьях

Примесные центры

Фотоэлектрическая активность структурных дефектов монокристалла сегнетоэлектрика-полупроводника TlInS$_2$ : La

А. П. Одринский^a, Т. Г. Мамедов^b, M.-H Yu. Seyidov^bc, В. Б. Алиева<sup>b

a</sup> Институт технической акустики НАН Беларуси, г. Витебск
^b Институт физики НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
^c Department of Physics, Gebze Institute of Technology, Gebze, Kocaeli, Turkey

Аннотация: Фотоэлектрическая релаксационная спектроскопия использована при изучении глубокоуровневых дефектов сегнетоэлектрика-полупроводника TlInS$_2$. Сравниваются особенности их регистрации в легированном лантаном и нелегированном монокристаллах. Предложено объяснение снижения фотоэлектрической активности дефектов в легированном образце.

Поступила в редакцию: 23.01.2014

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2014, 56:8, 1605–1609

Реферативные базы данных:

•