Эта публикация цитируется в 4 статьях

Графены

К теории адсорбции на эпитаксиальном графене: модельный подход

С. Ю. Давыдов<sup>ab

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики

Аннотация: Модель адсорбции на эпитаксиальном графене строится в два этапа: сначала определяется плотность состояний монослоя графена, адсорбированного на твердотельной подложке, а затем на образовавшийся эпитаксиальный графен помещается адсорбированный атом. Рассматриваются металлическая и полупроводниковая подложки. Вычисляется переход заряда между адатомом и эпитаксиальным графеном. Оцениваются роли подложки и графенового листа в формировании электронного состояния адатомов.

Поступила в редакцию: 24.01.2014

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2014, 56:7, 1483–1489

Реферативные базы данных:

•