Эта публикация цитируется в 3 статьях

Физика поверхности, тонкие пленки

Кинетика окисления приповерхностных слоев обогащенного кремния $^{29}$Si в магнитном поле

О. В. Коплак^ab, А. И. Дмитриев^a, Р. Б. Моргунов<sup>a

a</sup> Институт проблем химической физики РАН, Черноголовка, Россия
^b Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко

Аннотация: Обнаружено, что в магнитном поле $\sim$ 0.1 T различается кинетика окисления поверхности кремния. Скорость образования кислородсодержащих комплексов SiO$_x$, содержащих ядра $^{29}$Si со спином 1/2 (72.76%), на начальном этапе окисления вдвое превышает скорость реакции с участием комплексов, содержащих ядра $^{28}$Si и $^{30}$Si с нулевыми спинами.

Поступила в редакцию: 23.12.2013

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2014, 56:7, 1443–1448

Реферативные базы данных:

•