Динамика решетки

Роль полуостовных электронов в динамике решетки кубического кристалла ZnS в приближении локальной плотности

Б. Н. Маврин, М. Е. Перминова

Институт спектроскопии РАН, г. Троицк, Москва

Аннотация: Исследована дисперсия фононов в кристалле ZnS методом теории функционала плотности с различными псевдопотенциалами, содержащими 10 (Zn$^{12+}$) и 18 (Zn$^{20+}$) полуостовных электронов оболочки с главным квантовым числом $n$ = 3 в атоме цинка. Найдено, что псевдопотенциал Zn$^{20+}$ в отличие от Zn$^{12+}$ описывает более точно дисперсию фононов. Анализ показал, что в этом случае уменьшается степень $d$–$p$-гибридизации полуостовных $d$-состояний цинка с валентными $p$-состояниями серы.

Поступила в редакцию: 09.12.2013

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2014, 56:7, 1397–1400

Реферативные базы данных:

•