Эта публикация цитируется в 1 статье

Физика поверхности, тонкие пленки

Окисление поверхности пористого кремния при воздействии импульсного ионного пучка: исследования методами XPS и XANES

В. В. Болотов, К. Е. Ивлев, П. М. Корусенко, С. Н. Несов, С. Н. Поворознюк

Омский научный центр СО РАН, Омск, Россия

Аннотация: Методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (XPS) и анализа ближней тонкой структуры поглощения (XANES) с использованием синхротронного излучения получены данные об изменении электронной структуры и фазового состава пористого кремния под действием импульсных ионных пучков. Выполнен анализ спектров фотоэмиссии остовных уровней Si2$p$ и O1$s$ для различных углов сбора фотоэлектронов, валентной зоны, а также спектров ближней тонкой структуры рентгеновского поглощения в области Si $L_{2,3}$-краев исходных и облученных образцов. Установлено, что в результате облучения на поверхности пористого кремния формируется тонкая оксидная пленка, представленная преимущественно высшим оксидом SiO$_2$, что приводит к увеличению запрещенной зоны оксида кремния. Такая пленка обладает пассивирующими свойствами, препятствующими деградации состава и свойств пористого кремния при контакте с окружающей средой.

Поступила в редакцию: 16.12.2013

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2014, 56:6, 1256–1260

Реферативные базы данных:

•