Эта публикация цитируется в 9 статьях

Сегнетоэлектричество

Диэлектрическая релаксация и магнитные характеристики керамики Bi$_{0.5}$La$_{0.5}$MnO$_3$

А. В. Павленко^ab, А. В. Турик^a, Л. А. Резниченко^a, Ю. С. Кошкидько<sup>cd

a</sup> Научно-исследовательский институт физики, Южный федеральный университет, г. Ростов-на-Дону
^b Южный научный центр РАН, г. Ростов-на-Дону
^c Горно-металлургический институт — Технический университет Остравы, Острава-Поруба, Чехия
^d Международная лаборатория сильных магнитных полей и низких температур, Вроцлав, Польша

Аннотация: В интервале температур $T$ = 10–200 K и частот $f$ = 10$^2$–10$^6$ Hz выполнены измерения комплексной диэлектрической проницаемости $\varepsilon^*$ керамики манганита висмута-лантана, Bi$_{0.5}$La$_{0.5}$MnO$_3$. При низких температурах ($T<$ 90 K) обнаружены четко выраженные области недебаевской диэлектрической релаксации, для описания которой предложены и обсуждены возможные механизмы. В интервале температур $T$ = 10–120 K измерены температурные зависимости намагниченности, аномальное поведение которых может быть связанно с происходящим при $T\sim$ 40–80 K фазовым переходом из парамагнитной в ферромагнитную фазу.

Поступила в редакцию: 28.11.2013

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2014, 56:6, 1137–1143

Реферативные базы данных:

•