Эта публикация цитируется в 3 статьях

Полупроводники

Диэлектрические свойства и перенос заряда в (TlInSe$_2$)$_{0.1}$(TlGaTe$_2$)$_{0.9}$ на постоянном и переменном токе

С. Н. Мустафаева^a, М. М. Асадов^b, А. И. Джаббаров<sup>a

a</sup> Институт физики НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
^b Институт химических проблем НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан

Аннотация: Приведены экспериментальные результаты изучения температурной и частотной зависимостей проводимости на постоянном и переменном токе, дисперсии диэлектрических коэффициентов выращенных монокристаллов твердого раствора (TlInSe$_2$)$_{0.1}$(TlGaTe$_2$)$_{0.9}$. Установлены природа диэлектрических потерь, прыжковый механизм переноса заряда, оценены параметры локализованных состояний, такие как плотность локализованных состояний вблизи уровня Ферми и их разброс, среднее время и длина прыжков носителей заряда, а также концентрация глубоких ловушек, ответственных за проводимость на постоянном и переменном токе.

Поступила в редакцию: 18.12.2013

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2014, 56:6, 1096–1100

Реферативные базы данных:

•