Полупроводники

Двухзонная проводимость Si$_3$N$_4$

Ю. Н. Новиков

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Теоретически изучена кинетика накопления заряда в структуре металл–нитрид кремния–оксид кремния–полупроводник. Результаты расчета сравниваются с экспериментальными данными. Для согласия теории с экспериментом в расчетах необходимо учитывать одновременно как перенос электронов, так и перенос дырок. Расчеты предсказывают, что сечение захвата носителей на ловушки должно быть менее 10$^{-14}$ сm$^2$.

Поступила в редакцию: 28.11.2013

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2014, 56:6, 1087–1092

Реферативные базы данных:

•