Эта публикация цитируется в 23 статьях

Обзоры

Переключение намагниченности ферромагнетика электрическим полем (Обзор)

А. И. Морозов<sup>ab

a</sup> Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики, Москва, Россия
^b Московский физико-технический институт (государственный университет), г. Долгопрудный, Московская обл.

Аннотация: Рассмотрены возможные пути и проблемы создания магниторезистивной памяти с записью электрическим полем. Показано, что наиболее перспективна память на основе компенсированного среза мультиферроика BiFeO$_3$. Малые величины слабого ферромагнитного момента и линейного магнитоэлектрического эффекта в BiFeO$_3$ не являются препятствием для ее реализации. Представляет интерес память, переключаемая с помощью индуцируемых слоем пьезоэлектрика упругих напряжений, в которой используется наличие бистабильности намагниченности ферромагнитного слоя.

Поступила в редакцию: 13.11.2013

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2014, 56:5, 865–872

Реферативные базы данных:

•