Эта публикация цитируется в 1 статье

Системы низкой размерности

Твердофазный синтез силицидов марганца на поверхности Si(100)2 $\times$ 1

С. Н. Варнаков^ab, М. В. Гомоюнова^c, Г. С. Гребенюк^c, В. Н. Заблуда^a, С. Г. Овчинников^a, И. И. Пронин<sup>c

a</sup> Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН, г. Красноярск
^b Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева, Красноярск
^c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Методом фотоэлектронной спектроскопии высокого энергетического разрешения с использованием синхротронного излучения исследован твердофазный синтез силицидов марганца на поверхности Si(100)2 $\times$ 1, покрытой при комнатной температуре пленкой марганца толщиной 2 nm. Выявлена динамика изменения фазового состава и электронной структуры приповерхностной области с ростом температуры отжига образца в диапазоне до 600$^\circ$C. Показано, что в данных условиях на поверхности кремния последовательно формируются твердый раствор кремния в марганце, металлический моносилицид марганца MnSi и полупроводниковый силицид MnSi$_{1.7}$. Пленки обоих силицидов не являются сплошными, и занимаемая ими доля поверхности подложки уменьшается с повышением температуры отжига. Определены энергии связи Si 2$p$- и Mn 3$p$-электронов в синтезированных соединениях.

Поступила в редакцию: 07.10.2013

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2014, 56:4, 812–815

Реферативные базы данных:

•