Эта публикация цитируется в 8 статьях

Механические свойства, физика прочности и пластичность

Зависимость критического радиуса частичных дислокационных петель от энергии дефекта упаковки в полупроводниках

Ю. Ю. Логинов^a, А. В. Мозжерин^b, А. В. Брильков<sup>b

a</sup> Сибирский государственный университет науки и технологий имени академика М. Ф. Решетнева, г. Красноярск
^b Сибирский федеральный университет, г. Красноярск

Аннотация: Методом просвечивающей электронной микроскопии исследовано распределение дислокационных петель по размерам в полупроводниках CdTe, ZnTe, ZnSe, ZnS, CdS, GaAs, Si и Ge. Экспериментальные результаты сравниваются с теоретическими расчетами критических радиусов перехода частичных дислокационных петель в полные с учетом энергии образования дислокационных петель и энергии дефекта упаковки материалов. Показано, что критический радиус зависит от энергии дефекта упаковки и является важной характеристикой при анализе процессов дефектообразования в полупроводниках.

Поступила в редакцию: 15.07.2013

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2014, 56:4, 720–722

Реферативные базы данных:

•