Аннотация:
Исследованы рентгеновские фотоэлектронные спектры Y3$d$, Ba3$d_{5/2}$, Cu2$p_{3/2}$, O1$s$ толстых (600 nm) сверхпроводящих пленок YBa$_2$Cu$_3$O$_{7-\delta}$, нанесенных на текстурированные подложки Ni–W с буферными слоями Y$_2$O$_3$+ZrO$_2$, CeO$_2$. Установлено, что после механического удаления поверхностных слоев алмазным скребком (по мере приближения анализируемой области пленки к интерфейсу) уменьшается количество кислорода, в связи с чем уменьшается доля ортофазы, возрастают доли тетрафазы и ионов Cu$^+$. Причиной этого являются упругие напряжения в сверхпроводящей пленке, которые вызваны несоответствием решеток фаз, составляющих композиционный образец. Эти напряжения препятствуют диффузии кислорода во время окислительного отжига. В спектрах сверхпроводящей пленки не обнаружены сигналы от элементов подложки и буферных слоев.