Аннотация:
Рассмотрены процессы возбуждения–релаксации размерно-ограниченных экситонов в полупроводниковых квантовых точках. Для описания температурного поведения люминесценции квантовых точек в диэлектрических матрицах использована модель, учитывающая интеркомбинационную синглет-триплетную конверсию размерно-ограниченных экситонов. Получено аналитическое выражение, описывающее форму температурной зависимости фотолюминесценции, определен физический смысл входящих в него констант. Применимость уравнения для анализа люминесцентных свойств квантовых точек продемонстрирована на примере нанокластеров кремния в тонкопленочной матрице SiO$_2$.