Аннотация:
Изучены температурные зависимости подвижности невырожденных 2D-электронов в гетероструктурах Al$_x$Ga$_{1-x}$As/GaAs при рассеянии на коррелированном распределении примесных ионов. Рассмотрены случаи, когда с ростом температуры начинает преобладать влияние первого максимума структурного фактора на рассеяние электронов. При этом подвижность 2D-электронов уменьшается с увеличением корреляций в пространственном распределении примесных ионов. Исследуется влияние величины корреляций и ширины спейсерного слоя на этот эффект.
Полный текст:
PDF файл (434 kB)
