Эта публикация цитируется в 5 статьях

Диэлектрики

Электронные возбуждения и люминесценция монокристаллов SrMgF$_4$

В. А. Пустоваров^a, И. Н. Огородников^a, S. I. Omelkov^b, Л. И. Исаенко^c, А. П. Елисеев^c, А. А. Голошумова^c, С. И. Лобанов^c, П. Г. Криницын<sup>c

a</sup> Уральский федеральный университет им. Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
^b Institute of Physics, University of Tartu, Tartu, Estonia
^c Институт геологии и минералогии СО РАН, Новосибирск, Россия

Аннотация: Методом Бриджмена выращены монокристаллы SrMgF$_4$ и исследована их электронная и кристаллическая структура. Исследование нелегированных монокристаллов SrMgF$_4$ выполнено методом низкотемпературной ($T$ = 10 K) люминесцентно-оптической вакуумно-ультрафиолетовой спектроскопии с временным разрешением при селективном возбуждении синхротронным излучением (3.7–36 eV). На основании измеренных спектров отражения и рассчитанных спектров оптических констант впервые определены параметры электронной структуры: минимальная энергия межзонных переходов $E_g$ = 12.55 eV, положение первого экситонного максимума $E_{n=1}$ = 11.37 eV, положение максимума полосы возбуждения “экситонной” люминесценции при 10.7 eV и положение края фундаментального поглощения при 10.3 eV. Установлено, что возбуждение фотолюминесценции происходит преимущественно в области низкоэнергетического края фундаментального поглощения кристалла, а при энергиях выше $E_g$ передача энергии от матрицы к центрам свечения неэффективна. Миграция экситонов является основным каналом возбуждения полос фотолюминесценции при 2.6–3.3 и 3.3–4.2 eV, прямое фотовозбуждение характерно для фотолюминесценции дефектов при 1.8–2.6 и 4.2–5.5 eV.

Поступила в редакцию: 13.06.2013

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2014, 56:3, 456–467

Реферативные базы данных:

•