Эта публикация цитируется в 2 статьях

Графены

О переходе заряда в системе однолистный графен–металлический интеркалированный слой-SiC-субстрат

С. Ю. Давыдов<sup>ab

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)

Аннотация: Предлагаемая схема рассмотрения перехода заряда в трехслойной системе Gr/Me/SiC (Gr – однолистный графен, Me – металлический интеркалированний слой, SiC - подложка) содержит три этапа. На первом этапе рассматривается металлический монослой, адсорбированный на карбиде кремния, и вычисляется заряд адатомов этого монослоя. На втором этапе оценивается сдвиг точки Дирака свободного однослойного графена в электростатическом поле, формируемом заряженными адатомами монослоя. На третьем этапе включается слабое взаимодействие между Me/SiC и свободным графеном, позволяющее электронам туннелировать, но не искажающее существенно плотность состояний свободного графена. Оценки проводились для подложек 6H-SiC(0001) $n$- и $p$-типов и слоев Cu, Ag и Au. Вычислялось зарядовое состояние графенового листа и сдвиг точки Дирака относительно уровня Ферми системы. Сопоставление с имеющимися экспериментальными и теоретическими результатами показывает, что предлагаемая схема работает вполне удовлетворительно.

Поступила в редакцию: 03.07.2013

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2014, 56:2, 412–419

Реферативные базы данных:

•