Эта публикация цитируется в 5 статьях

Системы низкой размерности

Начальные стадии роста пленок марганца на поверхности Si(100)2 $\times$ 1

С. Н. Варнаков^ab, М. В. Гомоюнова^c, Г. С. Гребенюк^c, В. Н. Заблуда^a, С. Г. Овчинников^a, И. И. Пронин<sup>c

a</sup> Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН, г. Красноярск
^b Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева, Красноярск
^c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Методом фотоэлектронной спектроскопии высокого энергетического разрешения с использованием синхротронного излучения исследованы начальные стадии роста пленок марганца на поверхности Si(100)2 $\times$ 1, находящейся при комнатной температуре, и выявлена динамика изменения их фазового состава и электронной структуры с ростом покрытия. Показано, что в данных условиях на поверхности кремния последовательно образуются интерфейсный силицид марганца и пленка твердого раствора кремния в марганце. Рост металлической пленки марганца начинается после нанесения $\sim$ 0.9 nm Mn. При этом в диапазоне покрытий до 1.6 nm Mn наблюдается сегрегация кремния на поверхности пленки.

Поступила в редакцию: 28.05.2013

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2014, 56:2, 380–384

Реферативные базы данных:

•