Эта публикация цитируется в 8 статьях

Примесные центры

Фотоэлектрическая релаксационная спектроскопия сегнетоэлектрика–полупроводника TlGaSe$_2$

А. П. Одринский

Институт технической акустики НАН Беларуси, г. Витебск

Аннотация: В систематических исследованиях кристаллов из различных технологических партий обнаружено пять электрически активных дефектов с энергией термоактивации перезарядки 0.1–0.7 eV. Обсуждаются особенности их регистрации, связанные с наличием в материале сегнетоэлектрических свойств. Представлена найденная закономерность изменения с температурой энтальпии перезарядки дефекта, регистрируемого в окрестности фазового перехода.

Поступила в редакцию: 27.02.2013
Принята в печать: 02.07.2013

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2013, 56:2, 335–340

Реферативные базы данных:

•