Эта публикация цитируется в 3 статьях

Полупроводники

Модифицирование диэлектрических свойств монокристалла CdIn$_2$S$_4$ при легировании медью

С. Н. Мустафаева^a, М. М. Асадов^b, Д. Т. Гусейнов<sup>a

a</sup> Институт физики НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
^b Институт химических проблем НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан

Аннотация: Изучение диэлектрических свойств монокристалла CdIn$_2$S$_4$ $\langle$3 mol.% Cu$\rangle$ в переменных электрических полях частотой $f$ = 5 $\cdot$ 10$^4$ – 3.5 $\cdot$ 10$^7$ Hz позволило установить природу диэлектрических потерь (релаксационные потери, сменяющиеся при высоких частотах потерями сквозного тока). Определено значение инкремента диэлектрической проницаемости $\Delta\varepsilon'$ = 123, а также частоты релаксации $f_r$ = 2.3 $\cdot$ 10$^4$ Hz и времени релаксации $\tau$ = 43 $\mu$s в CdIn$_2$S$_4$ $\langle$Cu$\rangle$. Установлено, что легирование монокристалла CdIn$_2$S$_4$ медью (3 mol.%) приводит к существенному увеличению диэлектрической проницаемости $(\varepsilon')$, тангенса угла диэлектрических потерь $(\operatorname{tg}\delta)$ и ac-проводимости $(\sigma_{\mathrm{ac}})$. При этом частотная дисперсия $\varepsilon'$ и $\operatorname{tg}\delta$ возрастает, а дисперсия $\sigma_{\mathrm{ac}}$ уменьшается.

Поступила в редакцию: 13.05.2013
Принята в печать: 14.06.2013

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2014, 56:2, 279–281

Реферативные базы данных:

•