RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика твердого тела // Архив

Физика твердого тела, 2014, том 56, выпуск 2, страницы 209–223 (Mi ftt11880)

Эта публикация цитируется в 126 статьях

Обзоры

Электронная структура оксида кремния (Обзор)

С. С. Некрашевич, В. А. Гриценко

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Аморфные пленки оксида кремния являются ключевым диэлектриком в кремниевых интегральных схемах. Физические свойства оксида кремния определяются его электронной структурой. Cистематизированы современные сведения об электронной структуре оксида кремния.

Поступила в редакцию: 03.07.2013


 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2014, 56:2, 207–222

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026