Физика поверхности, тонкие пленки

Миграция атомов Si на W(100) при образовании поверхностного силицида вольфрама

Е. В. Рутьков, Е. Ю. Афанасьева, Н. Р. Галль

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Методами электронной Оже-спектроскопии и термической десорбции изучена миграция атомов кремния по поверхности W(100) в широкой области покрытий и температур. Показано, что энергия активации миграции меняется от значений $E_{\mathrm{m}}\ge$ 1.8 eV при малых покрытиях до значений $E_{\mathrm{m}}\approx$ 0.5 eV при образовании поверхностного силицида WSi.

Ключевые слова: поверхностная диффузия, адсорбция, растворение, десорбция.

Поступила в редакцию: 17.07.2025
Исправленный вариант: 18.07.2025
Принята в печать: 18.07.2025

DOI: 10.61011/FTT.2025.08.61331.200-25

Реферативные базы данных:

•