Полупроводники

Короткодействующая примесь в монослое дихалькогенидов переходных металлов

Р. З. Витлина, Л. И. Магарилл, А. В. Чаплик

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия

Аннотация: Теоретически исследованы электронные характеристики короткодействующего примесного центра в монослое дихалькогенидов переходных металлов (ДХПМ). Найдены энергии связанных состояний, сечение рассеяния электронов на центре и вероятность фотоионизации примесного состояния. Найден коэффициент долинной селективности переходов примесь–зона.

Ключевые слова: дихалькогениды переходных металлов, короткодействующая примесь, транспортное сечение, фотоионизация.

Поступила в редакцию: 23.07.2025
Исправленный вариант: 24.07.2025
Принята в печать: 24.07.2025

DOI: 10.61011/FTT.2025.08.61314.210-25

Реферативные базы данных:

•