Полупроводники

Нано-электромагниты на основе гибридных SiC/Si наноструктур

Н. Т. Баграев^a, Л. Е. Клячкин^a, А. М. Маляренко^a, А. В. Осипов^b, С. А. Кукушкин<sup>b

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^b Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Рассматриваются возможные пути получения электромагнитов с помощью электромагнитной индукции на поверхности наноструктур карбида кремния, содержащих кремниевые вакансии и выращенных на поверхности монокристаллического кремния методом согласованного замещения атомов. Исследуются электрические характеристики приборных структур, изготовленных в рамках холловской геометрии, в зависимости от величины продольного тока исток–сток, в процессе пропускания которого индуцируется магнитное поле, перпендикулярное плоскости структуры. Данное поле определяет характеристики бездиссипативного транспорта одиночных носителей в краевых каналах наноструктуры, которые анализируются с помощью результатов измерений проводимости в зависимости от величины магнитного потока через площадь краевого канала.

Ключевые слова: наномагниты, магнитная восприимчивость, карбид кремния на кремнии, кремниевые вакансии, наноструктуры.

Поступила в редакцию: 14.07.2025
Исправленный вариант: 23.07.2025
Принята в печать: 26.07.2025

DOI: 10.61011/FTT.2025.08.61313.196-25

Реферативные базы данных:

•