Аннотация:
Методом жидкофазной эпитаксии получены массивы квантовых точек InSb на матричных слоях твердых растворов в системе InAs–InSb. Показано влияние дополнительного элемента, вводимого в кристаллическую решетку матричного слоя, на поверхностную плотность, геометрические параметры и структурные свойства наращенных наногетероструктур. Присутствие общего элемента в матричном слое InAs$_{1-y}$Sb$_y$ и наноостровках InSb позволило повысить поверхностную плотность квантовых точек до 1.8 $\cdot$ 10$^{10}$ cm$^{-2}$. Наблюдалась трансформация формы наноостровков (от выпуклой линзы до усеченной пирамиды) в зависимости от матричного слоя в интервале составов 0 $<y<$ 0.09. Была предложена модель формы самоорганизующихся квантовых точек InSb, осаждаемых на поверхность тройного твердого раствора в системе InAs–InSb.