RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика твердого тела // Архив

Физика твердого тела, 2025, том 67, выпуск 8, страницы 1426–1431 (Mi ftt11816)

Полупроводники

Геометрия квантовых точек InSb, выращенных на поверхности матричного слоя In(As,Sb)

Я. А. Пархоменко, П. А. Дементьев, К. Д. Моисеев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Методом жидкофазной эпитаксии получены массивы квантовых точек InSb на матричных слоях твердых растворов в системе InAs–InSb. Показано влияние дополнительного элемента, вводимого в кристаллическую решетку матричного слоя, на поверхностную плотность, геометрические параметры и структурные свойства наращенных наногетероструктур. Присутствие общего элемента в матричном слое InAs$_{1-y}$Sb$_y$ и наноостровках InSb позволило повысить поверхностную плотность квантовых точек до 1.8 $\cdot$ 10$^{10}$ cm$^{-2}$. Наблюдалась трансформация формы наноостровков (от выпуклой линзы до усеченной пирамиды) в зависимости от матричного слоя в интервале составов 0 $<y<$ 0.09. Была предложена модель формы самоорганизующихся квантовых точек InSb, осаждаемых на поверхность тройного твердого раствора в системе InAs–InSb.

Ключевые слова: квантовые точки, твердые растворы, InAs, InSb, атомно-силовая микроскопия, наногетероструктуры.

Поступила в редакцию: 03.07.2025
Исправленный вариант: 03.07.2025
Принята в печать: 04.07.2025

DOI: 10.61011/FTT.2025.08.61312.176-25



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026